ເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນຂອງ Piezoresistive

ເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນ piezoresistiveສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນອີງໃສ່ຜົນກະທົບ piezoresistive. ຜົນກະທົບທີ່ piezoresistive ແມ່ນໃຊ້ເພື່ອອະທິບາຍການປ່ຽນແປງຂອງວັດສະດຸທີ່ຢູ່ພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນຂອງກົນໄກ.

ຜົນກະທົບທີ່ມີຄວາມຫມາຍທີ່ມີຄວາມຫມາຍທີ່ມີຄວາມກົດດັນຫຼາຍທີ່ສຸດໃນ Silicon ຄວາມຕ້ານທານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຕົວຢ່າງຂອງຕົວມັນເອງ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມີການປ່ຽນແປງຂອງລົດໄຟຟ້າທີ່ແຕກຕ່າງກັນຈາກການຍ້າຍຂອງມັນໂດຍການປ່ຽນແປງຂອງມະຫາຊົນທຽບເທົ່າຈາກການປ່ຽນແປງຮູບຮ່າງ The Conduction Band Valley.in P-type Silicon, ປະກົດການນີ້ຈະກາຍເປັນສັບສົນແລະຍັງນໍາໄປສູ່ການປ່ຽນແປງຂອງມະຫາຊົນແລະຂຸມ.

ເຊັນເຊີຄວາມດັນທີ່ມີຄວາມແຮງໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບ Bridento Bridge ໂດຍທົ່ວໄປ, ບໍ່ມີຄວາມກົດດັນພາຍນອກ, ແລະຂົວຢູ່ໃນສະພາບທີ່ສົມດຸນ (ເອີ້ນວ່າຕໍາແຫນ່ງສູນ). ໃນເວລາທີ່ເຊັນເຊີໄດ້ຖືກກົດດັນ, ການຕໍ່ຕ້ານ chip ປ່ຽນແປງທີ່ສົມດຸນ. ສັນຍານປະຈຸບັນແມ່ນໄດ້ຮັບການຊົດເຊີຍໂດຍວົງຈອນການແກ້ໄຂທີ່ບໍ່ແມ່ນເສັ້ນ, ນັ້ນແມ່ນສັນຍານຜົນຜະລິດມາດຕະຖານຂອງ 4-20 MA ພ້ອມກັບແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ມີຊື່ສຽງ.

ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນອິດທິພົນຂອງການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມໃນມູນຄ່າການຕ້ານທານແລະປັບປຸງຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການວັດແທກ, ຄວາມອ່ອນໂຍນ, ຄວາມອ່ອນໄຫວ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ.